耐斯迪芯片解密中心提供GAL20RA10芯片解密服务。
•高性能E2CMOS®技术
- 7.5 ns的最大传播延迟
- 的Fmax = 83.3兆赫
- 9 ns最大时钟输入到数据输出
- TTL兼容8 mA输出
- UltraMOS®先进的CMOS技术
•从双极功率减少50％至75％
- 75毫安典型的Icc
•有效的上拉所有引脚上的UPS
•E2电池技术
- 可重构逻辑
- 可重编程细胞
- 100％Tested/100％的产量
- 高速电擦除（<100毫秒）
- 20年的数据保留
•吉田输出逻辑宏单元
- 独立的可编程时钟
- 独立的异步复位和预置
- 注册或极性组合
- 全功能和参数兼容性
PAL20RA10
所有寄存器的复位•预紧和动力
- 100％的功能可测性
•应用范围包括：
- 状态机控制
- 标准逻辑综合
- 多个时钟的逻辑设计
•电子签名鉴定

描述
的GAL20RA10结合了高性能的CMOS工艺
（E2），电可擦除浮栅技术提供
在PLD市场提供的最高速度性能。格子
安森美半导体的E2CMOS电路实现低功耗水平
国际刑事法院75毫安典型代表大幅节省电力
比双极同行时。 E2技术提供了高
速度（<100毫秒）擦除时间提供重新编程能力，
重新配置或测试快速，高效的设备。
通用架构提供最大的设计灵活性
允许输出逻辑宏单元（OLMC）进行配置
用户。 GAL20RA10是直接参数兼容CMOS
更换为PAL20RA10设备。
独特的测试电路和可重新编程的细胞允许完成AC，
在制造过程中的直流，和功能测试。因此，莱迪思
安森美半导体提供100％的现场可编程和功能
所有的GAL产品。此外，100擦除/写周期和
在超过20年的数据保留规定