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GAL6001芯片简介：
　　有10个可编程的GAL6001输出逻辑宏单元（OLMC）和8个可编程逻辑宏单元埋（BLMC）。此外，有10个输入逻辑宏单元（ILMC）和10个I / O逻辑宏单元（IOLMC）。两个时钟输入用于输入和输出宏单元的独立控制。
　　先进的功能，简化程序，减少测试时间，再加上E2CMOS重新编程的细胞，使生产过程中100％的交流，直流，可编程性和功能各GAL6001测试。因此，莱迪思半导体公司提供100％的现场可编程性和所有的GAL产品的功能。此外，100擦除/写周期为20年以上和数据保留的规定。
　　GAL6001特点
　　高性能E2CMOS？技术
　　- 30ns最大传输延迟
　　- 27MHz的最大频率
　　- 12ns最大时钟到输出延迟
　　- TTL兼容为16mA输出
　　- UltraMOS？先进的CMOS技术
　　低功耗CMOS
　　- 90mA的典型电流Icc
　　E2的电池技术
　　- 可重构逻辑
　　- 细胞重新编程
　　- 100％Tested/100％的产率
　　- 高速电擦除“（<100毫秒）
　　- 20年的数据保存
　　前所未有的功能密度
　　- 78 × 64 × 36 FPLA建筑
　　- 10输出逻辑宏单元
　　- 8埋逻辑宏单元
　　- 20输入和I / O逻辑宏单元
　　高层次设计灵活性
　　- 异步或同步时钟
　　- 独立的状态寄存器和输入时钟引脚
　　- 功能超集现有的24引脚器件PAL和FPLA
　　应用包括：
　　- 排序
　　- 状态机控制
　　- 多PLD器件集成
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