LATTICE SEMICONDUCTOR LCMXO2-1200ZE-1TG144I 可编程逻辑芯片, PLD, 1280 MACHXO2, 144TQFP
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芯片特征：
灵活的逻辑架构
六台设备，256至6864 LUT4和19至335 I/O
超低功率器件
先进的65纳米低功耗工艺
低至19兆瓦备用功率
可编程低摆差分I/O
待机模式和其他节能选项
嵌入式和分布式内存
高达240 kbits symem嵌入式块RAM
高达54 kbit的分布式RAM
专用FIFO控制逻辑片上用户闪存
高达256 kbit的用户闪存
100000个写入周期
可通过叉形杆、SPI、I2c和JTAG接口访问
可作为软处理器PROM或闪存使用
预先设计的源同步I/O
I/O单元中的GDR寄存器
专用传动逻辑
7:1显示I/O齿轮装置
通用DDR、DDRx2、DDRx4
支持dqs的专用ddr/ddr2/lpddr内存
高性能、灵活的I/O缓冲区
可编程的Sysio缓冲区支持多种接口：
LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
左室TTL
PCI
LVDS、总线-LVDS、MLVDS、RSDS、LVPECL
SSTL 25/18号
高铁18号
施密特触发输入，高达0.5伏滞后。
I/O支持热插拔
片上差分终端
可编程上拉或下拉模式