STM32F20x 系列基于高性能 ARM® Cortex™-M3 32 位 RISC 内核，工作频率高达 120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器（高达 1 Mbyte 的闪存、高达 128 Kbyte 的系统 SRAM）、高达 4 Kbyte 的备份 SRAM 以及连接到两条 APB 总线、两条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。

这些器件还具有自适应实时存储器加速器（ART Accelerator™），在 CPU 频率高达 120 MHz 的情况下，可实现相当于从闪存执行 0 等待状态程序的性能。这一性能已通过 CoreMark 基准测试得到验证。

所有器件均提供三个 12 位 ADC、两个 DAC、一个低功耗 RTC、十二个通用 16 位定时器（包括两个用于电机控制的 PWM 定时器）、两个通用 32 位定时器、一个真数随机发生器 (RNG)。它们还具有标准和高级通信接口。新的高级外设包括一个 SDIO、一个增强型灵活静态存储器控制 (FSMC) 接口（适用于 100 引脚及以上封装的器件）和一个用于 CMOS 传感器的摄像头接口。这些器件还具有标准外设。

核心： ARM 32 位 Cortex™-M3 CPU，带

自适应实时加速器（ART

加速器（ART

性能，频率高达 120 MHz，内存保护单元

频率高达 120 MHz，内存保护单元、

150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）

存储器

- 高达 1 Mbyte 的闪存

- 512 字节 OTP 存储器

- 多达 128 + 4 K 字节的 SRAM

- 灵活的静态存储器控制器

支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器、

NOR 和 NAND 存储器

- LCD 并行接口，8080/6800 模式

时钟、复位和电源管理

- 1.65 至 3.6 V 应用电源和

I/O

- POR、PDR、PVD 和 BOR

- 4 至 26 MHz 晶体振荡器

- 内部 16 MHz 工厂微调 RC（25 °C 时精度为 1%

25 °C 时精度为 1%)

- 用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准功能

- 带校准的内部 32 kHz RC

低功耗

- 睡眠、停止和待机模式

- 为 RTC、20 × 32 位备份寄存器和可选的 4 KB 备份 SRAM 提供 VBAT 电源

寄存器和可选的 4 KB 备用 SRAM

3 × 12 位 0.5 μs A/D 转换器

- 多达 24 个通道

- 在三重交错模式下高达 6 MSPS

2 × 12 位 D/A 转换器

通用 DMA

- 16 流 DMA 控制器，具有集中式

FIFO 和突发支持

多达 17 个定时器

- 多达 12 个 16 位和 2 个 32 位定时器、

多达 12 个 16 位和 2 个 32 位定时器，频率高达 120 MHz，每个定时器多达 4 个

IC/OC/PWM 或脉冲计数器和

正交（增量）编码器输入

调试模式

- 串行线调试 (SWD) 和 JTAG 接口

- Cortex-M3 嵌入式跟踪宏单元™ ■ 调试模式