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描述

中密度 STM8L151x4/6 和 STM8L152x4/6 器件是 STM8L 超低功耗 8 位系列的成员。中密度 STM8L15x 系列的工作电压为 1.8 V 至 3.6 V（掉电时低至 1.65 V），工作温度范围为 -40 至 +85 °C，以及 -40 至 +125 °C。
至 +125 °C 的温度范围。
中密度 STM8L15x 超低功耗系列采用增强型 STM8 CPU内核，提供更高的处理能力（16 MHz 时高达 16 MIPS），同时保持了 CISC 体系结构的优势，并具有更低的功耗。
代码密度、24 位线性寻址空间和优化的低功耗架构。空间和低功耗运行的优化架构。
该系列包括一个带硬件接口（SWIM）的集成调试模块，可该模块允许非侵入式应用内调试和超快闪存编程。
所有中密度 STM8L15x 微控制器都具有嵌入式数据 EEPROM 和低功耗、低电压、单通道、低功耗、高可靠性、高可靠性和高可靠性。
所有中密度 STM8L15x 微控制器都具有嵌入式数据 EEPROM 和低功耗、低电压、单电源编程闪存。
它们集成了大量增强型 I/O 和外设。
外设集的模块化设计允许在不同的意法半导体微控制器系列中使用相同的外设。
包括 32 位系列。这使得向不同
通过使用一套通用的开发工具，可以进一步简化过渡到不同系列的过程。
开发工具。
从 28 引脚到 48 引脚，有六种不同的封装可供选择。根据所选器件的不同、
不同的外设。
所有 STM8L 超低功耗产品都基于相同的架构，具有相同的
存储器

特点

- 工作条件
- 工作电源范围 1.8 V 至
3.6 V（掉电时降至 1.65 V）
- 温度范围：- 40 °C 至 85、105 或 125 °C
- 低功耗特性
- 5 种低功耗模式： 等待、低功耗运行
(5.1 μA)、低功耗等待 (3 μA)
与全 RTC（1.3 μA）、停机（350 nA）
- 消耗： 195 μA/MHz + 440 μA
- 每个 I/0 的超低漏电：50 nA
- 停顿后快速唤醒：4.7 μs
- 先进的 STM8 内核
- 哈佛架构和 3 级流水线
- 最大频率 16 MHz，峰值 16 CISC MIPS
- 多达 40 个外部中断源
- 复位和电源管理
- 低功耗、超安全 BOR 复位，具有 5 个
可选阈值
- 超低功耗 POR/PDR
- 可编程电压检测器 (PVD)
- 时钟管理
- 1 至 16 MHz 晶体振荡器
- 32 kHz 晶体振荡器
- 内部 16 MHz 工厂微调 RC
- 内部 38 kHz 低消耗 RC
- 时钟安全系统
- 低功耗 RTC
- 带警报中断的 BCD 日历
- 停机自动唤醒，带周期性中断
- LCD：多达 4x28 段，带升压
转换器
- 存储器
- 高达 32 KB 的闪存程序存储器和
1 Kbyte 数据 EEPROM，带 ECC、RWW
- 灵活的写保护和读保护模式
- 多达 2 千字节的 RAM
- DMA
- 4 个通道；支持的外设 ADC、
DAC、SPI、I2C、USART、定时器
- 1 个内存到内存通道
- 带输出缓冲器的 12 位 DAC
- 12 位 ADC，高达 1 Msps/25 通道
- T. 传感器和内部基准电压
- 2 个超低功耗比较器
- 1 个具有固定阈值，1 个轨至轨

逻辑框图

Pin引脚配置

HSE 振荡器电路图

芯片封装

LQFP48 - 48 引脚、7 x 7 毫米低矮型四扁平封装外形图