芯片简介

AT45DB041E 是一款最低电压为 1.65 V 的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。
它非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB041E 还支持
RapidS 串行接口，适用于需要极高速运行的应用。它的 4,194,304 位内存被组织成 2,048 页内存页。
每页 256 字节或 264 字节。除主存储器外，AT45DB041E 还包含两个 256 字节的 SRAM 缓冲器。
还包含两个 SRAM 缓冲器，每个 256/264 字节。缓冲器允许在对主存储器的页面进行重新编程时接收数据。
在对主存储器的页面进行重新编程时接收数据。两个缓冲器之间的交错可显著提高系统写入连续数据流的能力。
写入连续数据流的能力。此外，SRAM 缓冲器还可用作额外的系统刮擦垫存储器、
此外，SRAM 缓冲器还可用作额外的系统刮擦垫存储器，并可通过自带的读取-修改-写入三步操作轻松处理 E2PROM 仿真（位或字节可更改性）。与使用多条地址线和并行接口随机存取的传统闪存不同，DataFlash
不同，DataFlash® 使用串行接口顺序访问数据。简单的顺序访问极大地减少了有源引脚数，简化了硬件布局，提高了系统可靠性，最大限度地降低了开关噪声，并缩小了封装尺寸。
开关噪声，并减小封装尺寸。该器件经过优化，适用于许多商业和工业应用。这些应用对高密度、低引脚数、低电压和低功耗要求极高。
为了实现简单的系统内重新编程，AT45DB041E 在编程时不需要高输入电压。编程。该器件使用 1.65 V 至 3.6 V 单电源进行擦除、编程和读取操作。AT45DB041E 通过芯片选择引脚 (CS) 启用，并通过一个由串行输入 (CS) 和串行输出 (CS) 组成的三线接口进行访问。由串行输入 (SI)、串行输出 (SO) 和串行时钟 (SCK) 组成。
所有编程和擦除周期都是自定时的。

引脚配置和布局

功能框图

芯片特点

1.65 V - 3.6 V 单电源供电
 兼容串行外设接口 (SPI)
- 支持 SPI 模式 0 和 3
- 支持 RapidS™ 操作
 可连续读取整个阵列
- 高达 85 MHz
- 低功耗读取选项，高达 15 MHz
- 时钟到输出时间 (tV) 最大为 6 毫微秒
 用户可配置页面大小
- 每页 256 字节
- 每页 264 字节（默认）
- 页大小可在出厂前配置为 256 字节
 两个完全独立的 SRAM 数据缓冲器（256/264 字节）
- 允许在对主内存阵列重新编程的同时接收数据
 灵活的编程选项
- 字节/页面编程（1 至 256/264 字节）直接输入主存储器
- 缓冲区写入
- 缓冲区到主存储器 页程序
 灵活的擦除选项
- 页擦除（256/264 字节）
- 块擦除（2 kB）
- 扇区擦除（64 kB）
- 芯片擦除（4 Mbits）
 程序和擦除暂停/恢复
 高级硬件和软件数据保护功能
- 单个扇区保护
- 单个扇区锁定，使任何扇区永久只读
 128 字节、一次性可编程 (OTP) 安全寄存器
- 64 字节出厂时已编程的唯一标识符
- 64 字节用户可编程
 硬件和软件控制复位选项
 JEDEC 标准制造商和器件 ID 读取
 低功耗耗散
- 400 nA 超深度掉电电流（典型值）
- 3 μA 深度掉电电流（典型值）
- 25 μA 待机电流（典型值）
- 7mA 有效读取电流（典型值 @ 15 MHz))
 耐用性：每页至少 100,000 次编程/擦除循环

芯片封装

8S1 - 8 引线 JEDEC SOIC